Charge Trap与Floating Gate
本文介绍了Charge Trap与Floating Gate。 本期聊聊两种主要的NAND 技术路线，以及国际大厂阵营的分类。 在实现真正的 3D NAND 量产之前，各类技术研讨会上已经对多种 3D NAND 方案开展了长达十年的研究。涉足该领域的存储企业主要包括东芝、三星、英特尔、海力士和美光。 研发 3D 技术的核心目标是降低每比特成本、提升芯片密度，同时不必缩小二维光刻工艺节点。下图 汇总
制造工艺、半导体产业、产业分析技术专题 · 共 5 篇内容
# 3D NAND
「3D NAND」是电子工程与制造工艺、半导体产业、产业分析领域的重要技术专题。纳米网为您深度聚合了 5 篇关于 3D NAND 的硬件电路设计方案、芯片选型参数对比、产业动态研判与原厂参考资料（最近更新于 2026年09月）。核心收录议题涵盖《Charge Trap与Floating Gate》《3D NAND的基本原理与优势介绍》《四种芯片的后段互连：层数差异背后的工艺逻辑》等实战工程解析。工程师可结合站内芯片选型库与 Datasheet 资料库进行一站式方案验证。
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3D NAND的基本原理与优势介绍
本文介绍了3D NAND的基本原理与优势。 DRAM属于易失性存储器——断电后数据即丢失。而闪存（flash memory）属于非易失性存储器（non-volatile memory，NVM），断电后仍能保持数据，因此广泛应用于U盘、存储卡和固态硬盘等产品中。 闪存单元的基本结构 闪存单元的结构与n沟道MOSFET类似，同样具有p阱和n型源漏，核心区别在于其栅极部分——闪存单元包含一个浮栅（flo
四种芯片的后段互连：层数差异背后的工艺逻辑
本文介绍了四种芯片的后段互连。 在芯片制造中，后段互连（BEOL）负责把底层晶体管连接成完整电路。不同芯片的金属层数和材料选择差异很大，这是由各自的应用需求决定的。 逻辑芯片 （CPU/GPU）对互连要求最高。它需要把数十亿个晶体管连接成复杂的高速通路，既有密密麻麻的局部信号线，也有宽大的电源线和全局总线。因此逻辑芯片的金属层数最多，先进节点（如5nm、3nm）通常有12到16层。最下面几层用铜和
长江存储启动IPO，武汉新芯同日撤回申请
2026年5月19日，中国存储芯片行业在同一天迎来两则重磅资本运作消息：证监会官网披露，长江存储控股股份有限公司（下称"长江存储"）在湖北证监局办理辅导备案登记，正式启动IPO；与此同时，上交所官网公告，武汉新芯集成电路股份有限公司（下称"新芯股份"）及其保荐人国泰海通、华源证券撤回发行上市申请，交易所终止其科创板上市审核。一启一撤之间，国内存储"国家队"的资本路径正发生深刻调整。 长江存储：估
AI热潮下NAND闪存的命运逆转
存储器行业素以强周期性著称，如今再次站在十字路口。这一切始于几年前的人工智能(AI)热潮：当时，高带宽内存(HBM)与AI加速器一同成为训练模型的首选。作为DRAM的一种特殊形式，HBM的利润率远高于NAND闪存。面对NAND价格下跌、利润缩水的困境，三星和SK海力士等大型厂商在扩大NAND产能上变得愈发谨慎。 技术层面同样挑战重重。随着NAND闪存层数突破200层大关，每一代新产品都需要先进的制